著者：トラヴィス・スコット、Finetech GmbH & Co. KG
概要：赤外線（IR）サーマルイメージングセンサー、量子コンピューティングプロセッサー、マイクロLEDディスプレイなどのフォーカルプレーンアレイ（FPA）イメージングおよびディテクターデバイスは、研究開発、軍事、産業、消費者市場において、これらのコンポーネントを必要とする実用的なアプリケーションが増えるにつれて需要が高まっています。
これと相まって、より大型のチップに搭載される画素数やQubit数、相互接続密度の向上が、これらの技術におけるハイブリッド化とモノリシック集積化を促進しています。このため、ファインピッチ・マイクロインジウムバンプ・インターコネクト（IBI）フリップチップ・ダイボンディングの需要が著しく増加しています。
しかし、これらの技術が直面するいくつかの重要な課題には、次のようなものがあります。部品サイズが大きくなると、表面積が増大以上に相互接続の密度が高くなります。また微細ピッチの相互接続アレイをアライメントするためには、サブミクロンの精度が要求されます。
これに加えて、これらのアプリケーションにおいて業界標準となりつつある材料が直面する課題、極低温使用環境などの極限条件下でも安定した状態を維持することへの要求、繊細な材料や構造、著しい熱膨張係数（CTE）を含むコンポーネントに対する低損失高強度の機械的／電気的相互接続要件との組み合わせなどは、従来のギ酸や高温リフローボンディングなどのプロセスガスがこれらのデバイスの接合にもはや使用できないこと示し、このような課題は現在市場に出回っている最先端のダイボンダやダイボンディング手法でさえ限界に近づいていることを意味します。
本稿では、このような課題とそれに対処するための方法をご紹介し、今日の業界要件を満たすファインピッチ・マイクロ・インジウム・バンプ・インターコネクト（IBI）を使用して、大判、高密度の赤外線（IR）サーマルイメージング・デバイス、量子プロセッサー、マイクロLEDディスプレイの製造に関する情報を紹介します。
